世界的な巨大潮流として、すべてのEV充電器は、電気エネルギーを効果的に最大限利用する必要があります。どの種類の充電ステーションでも、どの電圧でも、高効率のエネルギー変換の必要性は、世界共通です。そこでEV充電において役割を果たすのがシリコンカーバイドす。
オンセミが開発した技術は、世界のEV充電インフラを形作ります。この中には、350kWの電力レベルでEVをより素早く、より経済的に充電するSiC MOSFETモジュールが含まれています。オンセミのSiCパワーモジュールは、自動車業界のトップ企業の支持を得ています。現在、これらモジュールは、量産型EVに搭載され、航続距離の延長と効率性の向上と加速時間の短縮を実現しています。
モジュール型の高度なディスクリート・ソリューションにより、トラクション・インバータは、より高いトルクを実現できます。この効率化により、車両の航続距離と電気駆動系の寿命が延びます。
オンセミのSSDC（Integrated Single Side Direct Cooling）パワーモジュールは、同社のIGBTモジュールと互換性があり、第2世代SiC MOSFETを使用することにより、同社の業界トップの品質で高い性能と効率性を実現します。
- SiC部品
- キット
- 技術
EliteSiC MOSFET
オンセミの炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、高速で堅牢な設計となっています。炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、絶縁破壊電界強度が10倍、飽和電子速度が2倍、エネルギーバッドギャップが3倍、熱伝導率が3倍です。
EliteSiCダイオード
オンセミの炭化ケイ素（SiC）ダイオードには、車載用および産業用に設計されたAEC-Q101認定およびPPAP対応オプションが含まれています。炭化ケイ素（SiC）ショットキー・ダイオードは、斬新な新技術を使用してシリコンよりも高いスイッチング性能と信頼性を実現しています。
評価／開発キット
- SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB: HEVおよびBEVアプリケーション用15W SiC高電圧補助電源
- SECO-GDBB-GEVB: ゲートドライバ・プラグ＆プレイ・エコシステム
- SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB: HEVおよびBEVアプリケーション用40W SiC高電圧補助電源
- SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB: 6～18 Vdc入力絶縁IGBTゲートドライバ電源 ＋15 V／－7.5 V／7.5 V、車載車用認定NCV3064コントローラ搭載
- SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB: 6～18 Vdc入力絶縁SiCゲートドライバ供給 ＋20V／－5V／5V 車載品質NCV3064コントローラ評価ボード搭載
関連技術
絶縁型ゲートドライバ
オンセミのゲートドライバは、GaN、IGBT、FET、MOSFET、HブリッジMOSFET、SiC MOSFETの反転および非反転ドライバなど、スイッチング・アプリケーションに最適です。 オンセミのゲートドライバは、高いシステムの効率性と信頼性を含めた特徴および利点を備えています。
- NCD57xxx 絶縁型大電流／高効率IGBTゲートドライバ
- NCV57xxx 車載用IGBTゲートドライバ、内部ガルバニック絶縁により大電流と高効率を実現
- NCP51705 SiC MOSFETドライバ、ローサイド、シングル6A高速タイプ
- NCV51705 0 車載用SiC MOSFETドライバ、ローサイド、シングル6A高速タイプ
Resources
Interview: Jon Harper
Watch our interview with onsemi SME, Jon Harper, while he talks about how SiC can be used, where SiC is best used and what SiC may bring to your application.
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Video: Is this the right time to move to SiC?
Silicon Carbide is changing the way we control and convert power.
Video: Why does the world need SiC?
No matter how energy is generated or consumed, there's a universal need to change and control it.
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